在當(dāng)今科技快速發(fā)展的時(shí)代,將光感知與神經(jīng)形態(tài)計(jì)算功能集成于氮化鎵(GaN)基器件,已成為突破傳統(tǒng)分立器件局限的關(guān)鍵一步。這一創(chuàng)新舉措不僅可以顯著提升信息處理效率,降低系統(tǒng)功耗與延遲,還能夠?yàn)闃?gòu)建高速、低功耗、高集成的智能光電子系統(tǒng)提供核心硬件支撐,有力推動(dòng)下一代光電子智能感知與處理技術(shù)的發(fā)展,例如仿生視覺(jué)芯片、光神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等前沿領(lǐng)域。 近期,中科院蘇州納米所陸書(shū)龍團(tuán)隊(duì)?wèi){借在 GaN 材料外延與器件工藝方面的深厚積累,在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得了兩項(xiàng)令人矚目的重要進(jìn)展,為 GaN 領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。